NZQA6V8XV5T1G【PDF 2/4 页】TVS ARRAY QUAD ESD 6.8V SOT553

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NZQA5V6XV5T1G Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T A = 25 ° C unless otherwise noted)

Symbol Parameter

I PP

Maximum Reverse Peak Pulse Current

V C

Clamping Voltage @ I PP

I F

I R V F

V RWM

I R

Working Peak Reverse Voltage

Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM

V C V BR V RWM

I T

V BR

I T

Breakdown Voltage @ I T

Test Current

Q V BR

I F

V F

Z ZT

I ZK

Z ZK

Maximum Temperature Coefficient of V BR

Forward Current

Forward Voltage @ I F

Maximum Zener Impedance @ I ZT

Reverse Current

Maximum Zener Impedance @ I ZK

I PP

Uni ? Directional

MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)

Characteristic

Peak Power Dissipation (8 X 20 m s @ T A = 25 ° C) (Note 1)

Steady State Power ? 1 Diode (Note 2)

Thermal Resistance Junction to Ambient

Above 25 ° C, Derate

Maximum Junction Temperature

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

P PK

P D

R q JA

T Jmax

T J T stg

Value

100

300

370

2.7

150

? 55 to +150

Unit

° C/W

mW/ ° C

° C

ESD Discharge

MIL STD 883C ? Method 3015 ? 6

IEC1000 ? 4 ? 2, Air Discharge

V PP

IEC1000 ? 4 ? 2, Contact Discharge

Lead Solder Temperature (10 seconds duration)

T L

260

° C

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the

Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect

device reliability.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)

Device

Breakdown Voltage

V BR @ 1 mA (Volts)

Leakage Current

I RM @ V RM

V C Max @ I PP

Typ Capacitance

@ 0 V Bias

(Note 3)

Max

V F @ I F =

200 mA

Device

NZQA5V6XV5T1G

NZQA6V2XV5T1G

NZQA6V8XV5T1G

Marking

Min

5.32

5.89

6.46

Nom

5.6

6.2

6.8

Max

5.88

6.51

7.14

V RWM

3.0

4.0

4.3

I RWM ( m A)

1.0

0.5

0.1

V C (V)

10.5

11.5

12.5

I PP (A)

9.0

8.0

(pF)

(V)

1.3

1. Non ? repetitive current per Figure 1.

2. Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, P D will be 25%. Mounted on FR ? 4 board with min pad.

3. Capacitance of one diode at f = 1 MHz, V R = 0 V, T A = 25 ° C

http://onsemi.com

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NZQA6V8XV5T2 功能描述:TVS二极管阵列 SOT553 QUAN ZNR RoHS:否制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C

NZSMB15CAT3 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

NZSMB15CAT3G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

NZSMB30CAT3 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

NZSMB30CAT3G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMA TVS CLP 400W SPCL RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

NZT44H8 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

NZT45C11 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Current Driver Transistor

NZT45H8 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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